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晶體測(cè)溫技術(shù)
來源: | 作者:笑談人生 | 發(fā)布時(shí)間: 2019-11-22 | 26877 次瀏覽 | 分享到:
測(cè)溫晶體,晶體測(cè)溫
俄羅斯科學(xué)家在科研過程中發(fā)現(xiàn)了碳化硅晶體在低溫核輻射照射后,具有能精確記錄溫度的特性,從而衍生出來現(xiàn)在的IMTK技術(shù),現(xiàn)這項(xiàng)技術(shù)廣泛應(yīng)用在無損的高精度溫度檢測(cè)中。

以下是IMTK方法的主要技術(shù)特征:

測(cè)得的溫度范圍200-1400℃
晶體尺寸尺寸0.3-0.5毫米
溫度測(cè)量誤差:已知精度不低于±10%±15℃

多次溫度測(cè)量誤差
傳感器位于同一位置
累計(jì)誤差±6℃
升溫速率,不超過200℃ / s
測(cè)試時(shí)間1-200分鐘
沒有侵略性媒體
到期日期不受限制

BMTC技術(shù)用于測(cè)量機(jī)器和設(shè)備各個(gè)組件在運(yùn)行過程中的最高溫度。


當(dāng)前使用的IMTC是在低溫(?80°C)的核反應(yīng)堆中輻照的碳化硅SiC立方晶改性的單晶(β相)。反應(yīng)堆輻照會(huì)在IMTK的材料中產(chǎn)生大量缺陷,從而導(dǎo)致其晶格膨脹百分之幾。該光譜的特征在于以下事實(shí):在隨后的晶體退火之后,BMTC的晶格參數(shù)的膨脹和恢復(fù)的降低幾乎平滑地發(fā)生到初始值。此功能可在很大的溫度范圍和退火時(shí)間范圍內(nèi)保留。

確定溫度的步驟如下。 IMTK傳感器放置在零件,設(shè)備或任何其他打算進(jìn)行測(cè)溫的物體中。測(cè)試完成后,將傳感器拆下,并使用專門配備的X射線衍射儀精確確定其晶格參數(shù)。研究結(jié)果使我們能夠確定傳感器位置的最高溫度。

由于在制造IMTC的過程中,碳化硅是在核反應(yīng)堆中輻照的,因此萃取后會(huì)誘發(fā)放射性,這主要取決于其中所含的雜質(zhì)。但是,這種活動(dòng)非常小,以至于在保持大約一個(gè)月后,它就降至自然背景的值。


該方法的顯著特點(diǎn)是,傳感器的尺寸很小,這使您可以對(duì)設(shè)備幾乎無損的安裝晶體以確定設(shè)備工作的溫度梯度,甚至可以確定整體溫度較小的物體的溫度梯度。使該方法與其他方法區(qū)分開的第二個(gè)參數(shù)是高溫下的良好測(cè)量精度。第三種使該方法幾乎獨(dú)樹一幟的功能是能夠?qū)鞲衅鞣胖迷谡w尺寸較小的旋轉(zhuǎn)零件和組件中。因此,借助IMTK,對(duì)渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)的渦輪葉片,內(nèi)燃機(jī)的活塞環(huán),球軸承的球等進(jìn)行了溫度測(cè)量。

該方法廣泛用于航空,航天,汽車工業(yè),重型,能源和運(yùn)輸工程。

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